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          推薦系列

          650V/700V/730V/800V Multi-EPI SJ MOS

          產(chǎn)品優(yōu)勢

          基于革命性超結 (SJ) 原理設計,使用先進(jìn)的多次外延(Multi-EPI)工藝技術(shù)制造,擁有更優(yōu)的EMI特性,更容易通過(guò)安規認證;超低導通電阻和結電容,有效降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應更高的開(kāi)關(guān)頻率;DFN超薄外形封裝,可應用于小體積PD快速充電器。

          系統概述

          反激是指反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開(kāi)關(guān)電源,mos導通時(shí),輸出變壓器充當電感,電能轉化為磁能,此時(shí)輸出回路無(wú)電流,相反,當mos關(guān)斷時(shí),輸出變壓器釋放能量,磁能轉化為電能,輸出回路有電流。反激電路元器件少,電路簡(jiǎn)單成本低體積小可同時(shí)輸出多路互相隔離的電路

          系統原理圖
          推薦系列

          DT MOS/Trench MOS

          產(chǎn)品優(yōu)勢

          DT MOSFET是采用了具有降低表面電場(chǎng)(Reduced Surface) 原理的屏蔽柵(或稱(chēng)為分立柵)MOSFET技術(shù)(Shield/Split Gate )的Trench MOSFET,從而降低器件的比導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。                

          Trench MOS優(yōu)化了芯片的元胞設計和版圖布局,可以提高器件各個(gè)方向的電流均勻性,有效防止在極限工作下部分區域的提前失效,增強了產(chǎn)品功率密度和可靠性

          系統概述

          同步整流Rectification MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中用于提高電源的效率,它替代輸出整流二極管,利用其導通內阻低的特點(diǎn)彌補二極管導通損耗高的缺陷。

          系統原理圖
          產(chǎn)品列表
          產(chǎn)品系列 產(chǎn)品型號
          DT TSD120N10AT
          TSG120N10AT
          TSP120N10AT
          TSG048N10AT
          Trench TTP145N08A
          TTB145N08A
          TMB140N08A
          TMB140N10A


          推薦系列

          600V/650V Multi-EPI SJ MOS

          產(chǎn)品優(yōu)勢

          基于革命性超結 (SJ) 原理設計,使用先進(jìn)的多次外延(Multi-EPI)工藝技術(shù)制造,擁有更優(yōu)的EMI特性,更容易通過(guò)安規認證;超低導通電阻和結電容,有效降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應更高的開(kāi)關(guān)頻率。

          系統概述

          PFC(功率因數校正)拓撲常見(jiàn)的工作模式有CCM電流連續型、DCM不連續型和CRM臨界型三種,PFC拓撲對MOS管的要求比較高,在保證系統效率和溫升的條件下,要盡可能的提升系統穩定性用來(lái)改善電子或電力設備裝置的功率因素,用于提高配電設備及其配線(xiàn)的利用率,以降低設備的裝置容量;

          紫光微可以提供 600V,650V ,700V 的多次外延( Multi-EPI )SJMOS,PFC可選擇。

          系統原理圖
          推薦系列

          600V/650V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS

          產(chǎn)品優(yōu)勢

          帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振半橋電路應用,具有高速快恢復二極管(FRD),短的反向恢復時(shí)間(Trr),適用于當再生電流流經(jīng)主體二極管時(shí)會(huì )導致恢復損耗的應用。

          系統概述

          LLC拓撲常用于大功率諧振式變換器,是150W至1.6kW應用的理想選擇。因采用零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)而實(shí)現了非常高的工作效率,在大幅度減小開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)還可以有更高的功率密度,可廣泛應用于服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車(chē)充電樁等領(lǐng)域

          無(wú)錫紫光微提供的BV為650V的MutliEPISJ-MOS可用于諧波半橋電源應用,也提供具有高速快恢復二極管(FRD)的MutliEPISJ-MOS,且二極管具有短的反向恢復時(shí)間(Trr),適用于當再生電流流經(jīng)主體二極管時(shí)會(huì )導致恢復損耗的應用

          系統原理圖
          推薦系列

          600V/650V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS

          產(chǎn)品優(yōu)勢

          帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振全橋電路應用,具有高速快恢復二極管(FRD),短的反向恢復時(shí)間(Trr),適用于當再生電流流經(jīng)主體二極管時(shí)會(huì )導致恢復損耗的應用。

          系統概述

          逆變電路工作原理開(kāi)關(guān)T1、T4閉合,T2、T3斷開(kāi): 開(kāi)關(guān)T1、T4斷開(kāi),T2、T3閉合當以頻率fS交替切換開(kāi)關(guān)T1、T4和 T2 、T3 時(shí) , 則 在 負載電 阻 R上 獲 得交變電壓波形(正負交替的方波),其周期 Ts=1/fS,這樣,就將直流電壓變成了交流電壓

          系統原理圖
          產(chǎn)品列表
          推薦系列

          Multi-EPI SJ MOS

          產(chǎn)品優(yōu)勢

          基于革命性超結 (SJ) 原理設計,使用先進(jìn)的多次外延(Multi-EPI)工藝技術(shù)制造,擁有更優(yōu)的EMI特性,更容易通過(guò)安規認證;超低導通電阻和結電容,有效降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應更高的開(kāi)關(guān)頻率。

          系統概述

          正激式開(kāi)關(guān)電源在硬開(kāi)關(guān)應用中有單管正激和雙管正激兩種,對于單管正激,由于變壓器需要增加額外的磁復位繞組,在主開(kāi)關(guān)MOS管關(guān)斷時(shí),MOS管會(huì )承受兩倍于輸入電壓的應力,因此該類(lèi)拓撲應用中我們推薦高BV的MOS管,以應對電壓變化帶來(lái)的沖擊。

          雙管正激,它是非常穩定的拓撲結構,工作頻率不高,也不會(huì )出現過(guò)大的沖擊電流,對MOS管的要求相對寬松,每個(gè)mos理論上的電壓為直流母線(xiàn)電壓,對選取相對較低耐壓mos,同時(shí)Rdson較小,可進(jìn)一步提高效率通常應用于計算機主電源,中等功率通信電源,變頻器等輔助電源

          系統原理圖
          產(chǎn)品列表
          產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號
          單管正激 TPA70R260M
          TPA70R300M
          TPA70R600M
          TPA73R300M
          TPA73R400M
          雙管正激 TPA60R080M
          TPR60R110M
          TPA60R160M
          TPA60R240M
          TPA60R330M


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